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シリコンに導入されたドーパントの物理
5,500円
(5,000円+税)
本書は、半導体デバイスにおいて最も重要な技術の一つである不純物ドーピングにおける基本的な課題や学術的疑問点を取り上げ、それらを物理的な観点から理解を深めることを目的としています。
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内容紹介
本書は、半導体デバイスにおいて最も重要な技術の一つである不純物ドーピングにおける基本的な課題や学術的疑問点を取り上げ、それらを物理的な観点から理解を深めることを目的としています。シリコンナノエレクトロニクスおよびシリコンパワー半導体技術の両方に対して、ドーピングに伴って起こるさまざまな現象の物理的理解に関する議論と、さらにその理解に基づいて課題をどのように克服するかという技術展開を詳述しています。
書誌情報
- 著者: 公益社団法人 応用物理学会 半導体分野将来基金委員会
- 発行日: 2025-02-28
- 最終更新日: 2025-02-28
- バージョン: 1.0.0
- ページ数: 366ページ(PDF版換算)
- 対応フォーマット: PDF, EPUB
- 出版社: 近代科学社Digital
対象読者
シリコン,ドーピング,ドーパント,半導体,パワー半導体,デバイス,ナノシリコン,第一原理計算に興味がある人
著者について
公益社団法人 応用物理学会 半導体分野将来基金委員会
公益社団法人 応用物理学会 半導体分野将来基金委員会