増補版 はじめての半導体デバイス
執行 直之
近代科学社本書は「はじめての半導体デバイス」の増補版。増補版ではMOSトランジスタについて加筆し、電流電圧特性について本質的に解説。付録でもMOSトランジスタの背景を解説するなど、より充実した内容となっている。
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書籍情報
著者: 執行 直之
発行日: 2022-04-04
最終更新日: 2022-04-04
バージョン: 1.0.0
ページ数: 161ページ(PDF版換算)ページ
対応フォーマット: PDF, EPUB
出版社: 近代科学社
対象読者
半導体,パワー半導体,シリコン,エネルギーバンド,エネルギーギャップ,CMOS,トランジスタ,ダイオード,DRAM,ドレイン,フラッシュメモリ,pn結合に興味がある人
著者について
執行 直之
東北大学 工学研究科 情報工学専攻修了．博士（工学）．IEEE Fellow．
1980 年（株）東芝 入社．2019 年 キオクシア株式会社．専門は，半導体デバイス・シミュレーションとデバイス設計．
1982 年に 3 次元デバイス・シミュレータを開発し，デバイスの微細化での問題を解明した．さらに，少数キャリア移動度などの物理モデルを構築して，デバイス・シミュレータを実用化し，超 LSI の実現に貢献した．また，静電破壊 (ESD) やソフトエラーなどの問題も解決した．フラッシュメモリのデバイス設計に貢献した．パワーデバイスであるIGBTの研究も行った．
共著に『MOS 集積回路の基礎』（近代科学社），『最新半導体プロセス・デバイス・シミュレーション技術』（リアライズ社）などがある．
2001 年から現在まで神奈川大学 工学部 非常勤講師．
2004 年から 2 年間，東京工業大学大学院 非常勤講師．
2008 年東北大学 大学院 客員教授．
2017 年から 2 年間，東京工業大学 研究員．