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シリコンに導入されたドーパントの物理

シリコンに導入されたドーパントの物理

公益社団法人 応用物理学会 半導体分野将来基金委員会

近代科学社Digital

本書は、半導体デバイスにおいて最も重要な技術の一つである不純物ドーピングにおける基本的な課題や学術的疑問点を取り上げ、それらを物理的な観点から理解を深めることを目的としています。

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書籍情報

著者: 公益社団法人 応用物理学会 半導体分野将来基金委員会

発行日: 2025-02-28
最終更新日: 2025-02-28

バージョン: 1.0.0
ページ数: 366ページ(PDF版換算)ページ
対応フォーマット: PDF, EPUB
出版社: 近代科学社Digital

対象読者

シリコン,ドーピング,ドーパント,半導体,パワー半導体,デバイス,ナノシリコン,第一原理計算に興味がある人

著者について
公益社団法人 応用物理学会 半導体分野将来基金委員会

公益社団法人 応用物理学会 半導体分野将来基金委員会

目次

第1部 ドーピングの基礎

第1章 シリコン中の1×10^10から1×10^20cm^−3にわたる濃度範囲のドーパント不純物のフォトルミネッセンス評価

第2章 シリコン基板中のドーパントとその制御

第3章 シリコン中の不純物原子の活性化とそのからくり

第4章 ドーパントによる電子準位とドーパント拡散のミクロな機構：計算科学によるアプローチ

第5章 放射光を用いた光電子ホログラフィーによるシリコン中の高濃度ドーパントクラスターの3次元原子配列構造解析

第2部 ナノシリコンデバイス

第6章 シリコンデバイスへのドーピング技術の事共

第7章 シリコンナノ結晶への不純物ドーピング

第8章 IV族半導体ナノワイヤへの不純物ドーピングと評価

第9章 シリコンへの高濃度ドーピングにおける活性化と不活性化

第3部 パワー半導体

第10章 パワー半導体とドーピング技術

第11章 パワー半導体用シリコンウェーハにむけた中性子核変換ドーピングの現状と今後の展開

第12章 パワー半導体における宇宙線照射による故障のTCADを用いた解析

第13章 300mmSi-IGBT時代へ向けた不純物ドーピング制御の物理的課題と技術的挑戦